半导体所研制出面向860GHz

图1 太赫兹像素器件构造(左State of Qatar微芯片照片(右卡塔尔(قطر‎

中科院半导体研商所超晶格国家根本实验室高速图像传感及音讯管理课题组副研讨员刘力源等研制出面向860GHz CMOS太赫兹图像传感器的像素器件。相关商讨成果将于二〇一七年在太赫兹世界学术期刊IEEE Transaction on Terahertz Science and Technology 上刊出。

标签:半导体所研制出面向860GHz。 图像传感器 半导体

太赫兹 (Terahertz, THz卡塔尔国 波是指频率在0.3 THz - 3 THz 范围内,波长(1mm ~ 100mmState of Qatar介于分米波与远红外光之间的电波。太赫兹波成像手艺作为一种新颖无损成像工夫正在兴起,在生物法学、医治确诊、安全检查评定、危殆货色检查、隐形火器探测、质感表征和探伤等不利斟酌甚至生活的费用领域有所特别广阔的接收前程,业已成为各个国家争相研讨的火爆手艺。在江山根本研究开发安顿课题、国家自然科学基金、东方之珠市自然科学基金、中国中国科学技术大学学青年改革推进会基金和中国中国科学技术大学学基金的支撑下,课题组研制出一种基于职业CMOS工艺的太赫兹像素器件及其集成化低噪声新闻号管理电路,如图1所示。器件选拔了独立设计的CMOS片上帝线、太赫兹波段相称互连网和高电压响应度晶体二极管布局。在平常的温度专业标准下,像素器件的太赫兹电压响应率为3.3kV/W @860GHz,噪声等效功率为106pW/Hz0.5。课题组也作证了像素器件功率信号管理电路,它集成了低噪声音斩波式仪表放大仪器和高精度的SD-ADC,为达成单片集成高分辨率太赫兹图像传感器奠定了底工。图2是依照像素器件扫描成像的实验结果。基于像素器件,有希望进一步达成大面阵CMOS太赫兹图像传感器,提高本国在太赫兹成像领域的国际角逐力。

图2 成像结果:(a卡塔尔国 树叶的成像;(bState of Qatar 隐蔽在信封内的物体成像